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아르곤 플라즈마 처리를 이용한 p형 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법
Method to manufacture p type oxide TFT using argon plasma treatment
- 권혁인;
- 배상대;
- 권수훈
초록
산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 박막 TFT의 제조 방법은 기판에 산화물을 포함하는 박막을 증착하는 단계; 및 상기 산화물 박막에 아르곤 플라즈마 처리를 수행하는 단계를 포함하되, 상기 산화물 박막은 p형 산화물 박막이고, 상기 아르곤 플라즈마 처리를 수행하는 단계를 통해, 상기 p형 산화물 박막 내의 홀 농도를 감소시킴으로써, 상기 p형 산화물 박막의 저항을 증가시키는 것을 특징으로 한다.
- 제목
- 아르곤 플라즈마 처리를 이용한 p형 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법
- 제목 (타언어)
- Method to manufacture p type oxide TFT using argon plasma treatment
- 저자
- 권혁인; 배상대; 권수훈
- 발행일
- 2019-05-21
- 출원번호
- 10-2017-0095559
- 등록번호
- 10-1982828
- 출원일
- 2017-07-27
- 등록일
- 2019-05-21
- 지식재산권 유형
- 특허
- 양수인
- 중앙대학교 산학협력단