상세 보기
동일 평면 상의 대칭형 이온 게이트 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 이온 센서
COPLANER-SYMMETRICAL ION GATE TRANSITOR, METHOD FOR THE SAME AND ION SENSOR COMPRISIONG THE SAME
- 박성규;
- 장영우
초록
본 발명은 동일 평면 상의 대칭형 이온 게이트 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 이온 센서를 개시한다. 본 발명은 트랜지스터의 게이트, 소스 및 드레인 전극들을 동일 평면에 코르비노(Corbino) 구조로 형성하여 게이트 전극과 채널층 그리고 소스 및 드레인 전극 간의 거리를 동일하게 형성함으로써, 전위 상실에 의한 전자 축적 정도를 종래 기술보다 균일하게 제공한다. 본 발명의 트랜지스터는 뛰어난 전기적 특성을 통해 이온의 농도를 센싱하는 이온 센서로 이용 시 높은 응답성을 제공할 수 있다.
- 제목
- 동일 평면 상의 대칭형 이온 게이트 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 이온 센서
- 제목 (타언어)
- COPLANER-SYMMETRICAL ION GATE TRANSITOR, METHOD FOR THE SAME AND ION SENSOR COMPRISIONG THE SAME
- 저자
- 박성규; 장영우
- 발행일
- 2024-09-25
- 출원번호
- 10-2022-0045621
- 등록번호
- 10-2711669
- 출원일
- 2022-04-13
- 등록일
- 2024-09-25
- 지식재산권 유형
- 특허
- 양수인
- 중앙대학교 산학협력단