상세 보기
다층 박막 구조를 포함하는 전자 소자 및 다층 박막 구조를 갖는 트랜지스터
electronic device comprising multilayer thin film structure and transistor comprising multilayer thin film structure
- 김선주;
- 김동욱;
- 소재희
초록
양이온성 고분자 및 음이온성 고분자가 교대로 각각 한 번 이상 적층된 다층 박막 구조의 버퍼층을 갖는 전자 소자 및 트랜지스터가 개시된다. 상기 트랜지스터는, 기판; 채널층; 유전체층; 상기 채널층과 유전체층이 맞닿는 전체 면 상에 위치한 버퍼층; 게이트 전극층; 소스 및 드레인 전극;을 포함한다. 상기 트랜지스터는, 바텀 게이트 구조, 탑 게이트 구조, 사이드 인 플레인 게이트 구조, 및 버티컬형 게이트 구조일 수 있다.
- 제목
- 다층 박막 구조를 포함하는 전자 소자 및 다층 박막 구조를 갖는 트랜지스터
- 제목 (타언어)
- electronic device comprising multilayer thin film structure and transistor comprising multilayer thin film structure
- 저자
- 김선주; 김동욱; 소재희
- 발행일
- 2024-04-02
- 출원번호
- 10-2021-0167862
- 등록번호
- 10-2655216
- 출원일
- 2021-11-30
- 등록일
- 2024-04-02
- 지식재산권 유형
- 특허
- 양수인
- 중앙대학교 산학협력단