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초록

본 발명의 일실시예는 워드 라인 및 비트 라인의 교차점 메모리 어레이의 쓰기 방법에 있어서, 선택된 워드 라인의 데이터를 지우도록 리셋 전압(VRST)을 인가하는 단계; 선택된 워드 라인에 제1 전압(VWL)을 인가하고, 선택되지 않은 워드 라인에 제1 전압보다 작은 제2 전압을 인가하는, 쓰기 전압 인가 단계; 점진적으로 증가하는 설정 전압(VSET)을 인가하여, 상기 교차점에 형성된 저항성 메모리 소자의 저항 상태를 조절하는 단계; 및 타겟 저항(전도도) 상태에 도달한 셀에 대해서는 해당 비트 라인을 통해 금지 전압(VIH)을 인가하여 더 이상 쓰기동작이 이루어지지 않도록 쓰기 금지하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 교차점 메모리 어레이의 쓰기 방법을 제공한다.