이산화탄소 레이저 보조 RF 스퍼터링 공정에 의한 질화갈륨 박막 제조 방법

초록

이산화탄소 레이저를 조사하여 저온에서 RF 스퍼터링 공정에 의해 결정성이 우수한 질화갈륨 박막을 제조할 수 있는, 질화갈륨 박막 제조 방법이 개시된다. 상기 질화갈륨 박막 제조 방법은, 질화갈륨을 포함하는 타겟, 및 상기 타겟이 증착될 기판을 RF(radio frequency) 마그네트론 스퍼터링 챔버 내에 배치하는 제1 단계; 상기 챔버 내부를 진공으로 감압한 뒤, 아르곤을 50% 내지 70%의 분압으로 포함하는 불활성 기체를 주입하는 제2 단계; 및 상기 타겟에 100w 내지 250w의 RF 전력을 인가하고, 상기 기판에 이산화탄소 레이저를 8% 내지 12%의 레이저 듀티 사이클로 조사하여, RF 마그네트론 스퍼터링 공정을 진행하는 제3 단계;를 포함한다.