페로브스카이트 양자점이 적용된 유기 발광 트랜지스터

초록

본 발명의 실시예에 의한 유기 발광 트랜지스터는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 배치된 절연층; 상기 절연층의 일부 상에 배치되는 n형 금속산화물층; 상기 n형 금속 산화물층을 덮으면서 상기 절연층 상에 배치되는 하기 화학식 1로 표시되는 페로브스카이트 양자점을 포함하는 유기 발광층; 상기 유기 발광층 상의 일부에 배치되는 p형 제 1 금속산화물층; 상기 p형 제 1 금속산화물층과 이격하여 상기 유기 발광층 상의 일부에 배치되는 p형 제 2 금속산화물층; 상기 p형 제 1 금속산화물층 상에 배치되는 소스 전극; 및 상기 p형 제 2 금속산화물층 상에 배치되는 드레인 전극;을 포함한다: [화학식 1] ABX3-nX'n (상기 화학식 1에서, A는 유기암모늄, 유기아미디늄 및 알칼리 금속 중에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상이고, B는 2가의 전이금속, 희토류금속, 알칼리토류 금속, Pb, Sn, Ge, Ga, In, Al, Sb, Bi, Po 및 유기물질 중에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상이고, X 및 X'는 서로 독립적으로F, Cl, Br 및 I 중에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상이고, 0 ≤ n ≤ 3 이다.)