상세 보기
GaAsN 전도띠 바닥의 대칭성: 공명라만산란연구
Symmetry of GaAsN Conduction-band Minimum: Resonant Raman Scattering Study
초록
GaAs1-xNx의 전도띠 바닥전자상태의 특성을 Ge 기판위에 성장시킨 GaAs1-xNx(x≤0.7) 박막에 대한 공명라만산란 실험을 수행함으로써 조사하였다. LO(longitudinal optical)-phonon 라만세기의 강한 공명상승이 E+ 뿐만 아니라 E0 전이에너지 근처에서 관측되었다. 그러나 E+ 전이에너지 아래와 근처에서 관측되는 분명한 LO-phonon 선폭 공명상승과 다양한 X와 L 영역경계 (zone-boundary) phonon의 활성화와는 대조적으로, E0 전이에너지 근처에서는 어떠한 LO-phonon 선폭 확장공명이나 날카로운 영역경계 phonon의 활성화가 관측되지 않았다. 관찰된 공명라만산란 결과는 GaAsN의 전도띠 바닥전자상태가 비국소화된 bulk GaAs와 거의 흡사한 Γ대칭 상태로 구성되었다는 사실을 의미한다.
키워드
GaAsN; 전도띠 바닥 대칭성; 공명라만산란; 영역경계 phonon; GaAsN; Conduction-band minimum symmetry; Resonant raman scattering; Zone-boundary phonon
- 제목
- GaAsN 전도띠 바닥의 대칭성: 공명라만산란연구
- 제목 (타언어)
- Symmetry of GaAsN Conduction-band Minimum: Resonant Raman Scattering Study
- 저자
- 성맹제
- 발행일
- 2006
- 저널명
- 한국진공학회지
- 권
- 15
- 호
- 2
- 페이지
- 162 ~ 167