상세 보기
박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
薄膜トランジスタおよびその製造方法
- パク、スン キュ;
- チョン、ソン ピル;
- キム、ヨン-フン;
- パク、ポ ヨン
초록
【요약】 【과제】본 발명은 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법을 개시한다. 【해결 수단】본 발명의 박막 트랜지스터는 상기 게이트 절연막상에 형성된 금속층, 상기 금속층상에 형성되고 상기 금속층의 표면을 전부 덮도록 형성된 금속 산화물층, 상기 금속산화물층의 표면을 전부 덮도록 형성된 금속 산화물 반도체층 및 상기 금속 산화물 반도체층 상에 형성된 소스/드레인 전극을 포함하고 상기 금속산화물층과 인접한 상기 금속 산화물 반도체층의 내부에 산소 결핍층을 더 포함하고 상기 금속 산화물 반도체층은 비정질 금속 산화물 반도체층이 열처리에 의해 결정화된 것임을 특징으로 한다. 【대표도】도 1
- 제목
- 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
- 제목 (타언어)
- 薄膜トランジスタおよびその製造方法
- 저자
- パク、スン キュ; チョン、ソン ピル; キム、ヨン-フン; パク、ポ ヨン
- 발행일
- 2024-12-09
- 출원번호
- 2023-111343
- 등록번호
- 7601357
- 출원일
- 2023-07-06
- 등록일
- 2024-12-09