광트랜지스터 소자 및 이의 제조방법

초록

본 발명은 광트랜지스터 소자 및 이의 제조방법을 개시한다. 본 발명은 각각 서로 파장이 상이한 적색광(R), 녹색광(G), 청색광(B)을 흡수하여 감지할 수 있도록 서로 상이한 크기를 갖는 제1 양자점, 제2 양자점 및 제3 양자점을 포함하는 양자점층을 포함하는 것을 특징으로 하며, 광트랜지스터 소자의 반도체 채널층과 양자점층의 이종 접합 구조를 통해 광에 의해 전자-홀이 생성되었을때 전자는 상기 반도체 채널층으로 이동하고 홀은 상기 양자점층 내에 트랩되어 포토게이팅 효과를 일으켜 전류를 발생시킴으로써, 시냅스 메모리 효과를 나타내는 것을 특징으로 한다.