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요철 구조를 포함한 이종접합 산화물 반도체 구조체 및 이의 제조 방법
CORRUGATED HETEROJUNCTION OXIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF
초록
본 발명은 요철 구조를 포함한 이종접합 산화물 반도체 구조체에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 요철 구조를 포함한 이종접합 산화물 반도체 구조체를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 요철 구조를 포함한 이종접합 산화물 반도체 구조체는, 제 1 산화물 반도체층(10); 및 제 1 산화물 반도체층 상에 배치된 제 2 산화물 반도체층(20)을 포함한다.
- 제목
- 요철 구조를 포함한 이종접합 산화물 반도체 구조체 및 이의 제조 방법
- 제목 (타언어)
- CORRUGATED HETEROJUNCTION OXIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF
- 저자
- 박성규
- 발행일
- 2020-10-06
- 출원번호
- 10-2018-0118047
- 등록번호
- 10-2164861
- 출원일
- 2018-10-04
- 등록일
- 2020-10-06
- 지식재산권 유형
- 특허
- 양수인
- 중앙대학교 산학협력단