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금속 산화물 반도체 박막, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터
METAL OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, PREPARING METHOD OF THE SAME, AND OXIDE THIN FILM TRANSISTOR COMPRISING THE SAME
- 김명길;
- 박성규;
- 김영훈;
- 이바울
초록
본원은 칼코겐 음이온이 첨가된 금속 산화물을 포함하고, 상기 금속 산화물은 인듐, 주석, 아연, 카드뮴 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는 것인, 금속 산화물 반도체 박막에 대한 것이다.
- 제목
- 금속 산화물 반도체 박막, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터
- 제목 (타언어)
- METAL OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, PREPARING METHOD OF THE SAME, AND OXIDE THIN FILM TRANSISTOR COMPRISING THE SAME
- 저자
- 김명길; 박성규; 김영훈; 이바울
- 발행일
- 2024-05-22
- 출원번호
- 10-2022-0016604
- 등록번호
- 10-2669509
- 출원일
- 2022-02-09
- 등록일
- 2024-05-22
- 지식재산권 유형
- 특허
- 양수인
- 성균관대학교산학협력단; 중앙대학교 산학협력단