유리 유전체 기판과 관통 구리 비아 구조를 가지는 기판 집적형 도파관 제작

초록

본 논문에서는 유리 유전체와 관통 구리 비아 구조를 가지는 기판 집적형 도파관(SIW)을 구현하였다. 제안된 SIW는 유리 재흐름 공정을 통해 실리콘 트렌치에 채워진 유리를 유전물질로 이용하며, 유리 내부의 실리콘을 식각한 후 구리 도금을 통해 비아 구조를 형성하는 방법을 사용하였다. 제안된 구조는 일괄 공정을 통해 SIW에 RF MEMS 소자 집적이 가능함과 동시에 도파관의 기계적인 안정성을 제공한다. 제작된 half-mode SIW(HMSIW)의 경우 20-38 GHz에서 1dB 미만의 낮은 삽입 손실 특성을 나타냈다.