CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법, 이를 이용한 레이저 박막 어닐링 방법 및 이에 의해 제조된 전력 반도체 박막

초록

CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법, 이를 이용한 레이저 박막 어닐링 방법 및 이에 의해 제조된 전력 반도체 박막이 개시된다. 상기 CW 레이저 박막 어닐링 공정 변수 최적화 방법은 반도체 전구체를 포함하는 박막의 결정화가 일어날 수 있는 온도를 달성하기 위한 최소 CW 레이저 조사 시간을 산출하는 것; 및 상기 박막의 결정이 파괴되지 않는 정도의 에너지를 조사하기 위한 최대 CW 레이저 조사 시간을 산출하는 것;을 포함한다. 상기 레이저 박막 어닐링 방법은 기판 상에 반도체 전구체를 포함하는 박막을 코팅하는 제1 단계; 및 최소 CW 레이저 조사 시간 및 최대 CW 레이저 조사 시간 사이의 시간 동안 상기 박막에 CW 레이저를 조사하는 제2 단계;를 포함한다. 상기 전력 반도체 박막은 상기 레이저 박막 어닐링 방법에 의해 제조될 수 있다.