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광트랜지스터 소자, 광 센싱 소자 및 그 제조 방법
PHOTOTRANSISTOR DEVICE, PHOTO SENSING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
- 박성규;
- 김재현;
- 조찬호
초록
양자점을 광활성층으로 이용한 광트랜지스터 소자에 있어서, 채널층으로 금속 산화물 반도체층을 이용하고 상기 광활성층은 적층된 세층의 양자점층으로 이루어지며 상기 양자점층과 상기 금속 산화물 반도체로 이루어진 채널층은 이종 헤테로 적층 구조를 이룰 수 있다.
- 제목
- 광트랜지스터 소자, 광 센싱 소자 및 그 제조 방법
- 제목 (타언어)
- PHOTOTRANSISTOR DEVICE, PHOTO SENSING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
- 저자
- 박성규; 김재현; 조찬호
- 발행일
- 2024-01-11
- 출원번호
- 10-2021-0088857
- 등록번호
- 10-2625675
- 출원일
- 2021-07-07
- 등록일
- 2024-01-11
- 지식재산권 유형
- 특허
- 양수인
- 중앙대학교 산학협력단