1.561 ㎛에서 동작하는 MQW 도파로형 Depleted Optical Thyristor의 레이징 특성 분석

초록

본 연구에서는 광통신 시스템에 응용할 수 있는 InGaAs/InGaAsP 다중 양자 우물의 장파장용 완전 공핍 광 싸이리스터(depleted optical thyristor)를 제안하고, 도파로 형태로 소자를 제작하여, 최초로 레이징 특성을 측정 분석하였다. 먼저, 완전 공핍 광 싸이리스터에 있어서 스위칭 전압과 전류는 각각 4.63 V 와 10 ㎂로 측정되었고, 홀딩 전압(holding voltage)과 전류는 각각 0.59 V, 20 ㎂에서 그 특성이 나타났다. 또한, 레이징 되는 문턱 전류(threshold current)는 25 ℃에서 111 ㎃, 10 ℃에서 72.5 ㎃로 각각 나타났으며, 문턱 전류의 약 1.41배에 해당하는 동작 전류에서 측정된 레이징 중심 파장은 1.561 ㎛로 나타남을 확인하였다.

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