MRAM의 Bit Line Sense Amplifier에 대한 연구

초록

본 논문에서는 MRAM에서 사용될 수 있는 새로운 Bit Line Sense Amplifier(BLSA)를 제안하였다. 기존의 BLSA는 기본적으로 Latch형 회로를 사용하여 Memory Cell로부터의 신호를 증폭한다. 제안된 BLSA는 Cross-coupled PMOS 트랜지스터를 사용하여 회로를 단순화하였으며. 기존 BLSA의 약 85%정도의 작은 면적을 차지하면서도 시뮬레이션상에서는 같은 동작 속도를 보이고 있다.

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