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펨토초 레이저 어블레이션을 이용한 Si 웨이퍼의 미세 관통 홀 가공
Femto-second Laser Ablation Process for Si Wafer Through-hole
- 김주석;
- 심형섭;
- 이성혁;
- 신영의
초록
본 논문에서는 펨토초 레이저가 정밀하고 효과적인 레이저 어블레이션 작업이 가능한지를 확인하기위해 Si 재료 내부의 열전달 메커니즘에 대한 수치해석을 실시하였으며, Si 웨이퍼에 각각 다른 조건으로 적용된 레이저 플루언스 값으로 100㎛ 직경의 미세 관통 홀을 형성한 후, 광학현미경과 3차원 표면 형상 측정 장비를 사용하여 형성된 미세 관통 홀의 가공성과 열영향부의 발생 정도를 관찰하고 분석하였다. 레이저 플루언스 조건에 따른 열영향부의 발생 정도를 분석한 실험 결과를 통해, 최소한의 열영향부를 가지며 우수한 홀 가공성을 보이는 최적의 미세 관통 홀 가공 조건을 도출하였다.
키워드
Femto-second Laser; Laser ablation; Laser Fluence; Through-hole
- 제목
- 펨토초 레이저 어블레이션을 이용한 Si 웨이퍼의 미세 관통 홀 가공
- 제목 (타언어)
- Femto-second Laser Ablation Process for Si Wafer Through-hole
- 저자
- 김주석; 심형섭; 이성혁; 신영의
- 발행일
- 2007
- 저널명
- 마이크로전자 및 패키징학회지
- 권
- 14
- 호
- 3
- 페이지
- 29 ~ 36
- 출판사
- 한국마이크로전자및패키징학회
- 발행국가
- 대한민국
- 분량
- 8 페이지
- ISSN
- P 1226-9360