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자외선 조사 및 열처리를 이용한 산질화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
Method to manufacture oxy-nitride TFT using ultraviolet and thermal treatment
- 권혁인;
- 정환석;
- 김대환
초록
산질화물 박막 트랜지스터의 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 산질화물 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 기판에 산질화물을 포함하는 박막을 증착하는 단계; 상기 산질화물 박막에 UV를 조사하는 단계; 및 상기 산질화물 박막에 열처리를 하는 단계를 포함하되, 상기 UV를 조사하는 단계와 상기 열처리를 하는 단계를 통해, 상기 산질화물 박막에서 서브 갭 결함을 발생시키는 금속-질소 결합을 줄임으로써, 상기 산질화물 박막의 전계 효과 이동도를 증가시키는 것을 특징으로 한다.
- 제목
- 자외선 조사 및 열처리를 이용한 산질화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
- 제목 (타언어)
- Method to manufacture oxy-nitride TFT using ultraviolet and thermal treatment
- 저자
- 권혁인; 정환석; 김대환
- 발행일
- 2019-03-25
- 출원번호
- 10-2017-0095560
- 등록번호
- 10-1963698
- 출원일
- 2017-07-27
- 등록일
- 2019-03-25
- 지식재산권 유형
- 특허
- 양수인
- 중앙대학교 산학협력단