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완전공핍 광 싸이리스터에서 입출력의 높은 아이솔레이션을 위한 수직 입사형 구조에 관한 연구
Depleted Optical Thyristor using Vertical-Injection Structure for High Isolation Between Input and Output
- 최운경;
- 김두근;
- 문년태;
- 김도균;
- 최영완
초록
This study shows the lasing characteristics of InGaAs/InGaAsP multiple-quantum-well waveguide-type depleted optical thyristor (DOT) using the vertical window. The measured switching voltage and current are 3.36 V and 10 ㎂, respectively. The lasing threshold current is 131 mA at 25 ℃. The output peak wavelength is 1570 nm at a bias current of 1.22 Ith and there is not input signal anymore in the output port. The vertical injection depleted optical thyristor - laser diode (VIDOT-LD) using the vertical-injection structure shows very good isolation between input and output signal.
키워드
Depleted Optical Thyristor(DOT); Finite Difference Method(FDM); Optical CDMA; Optical ATM; Optical Interconnection
- 제목
- 완전공핍 광 싸이리스터에서 입출력의 높은 아이솔레이션을 위한 수직 입사형 구조에 관한 연구
- 제목 (타언어)
- Depleted Optical Thyristor using Vertical-Injection Structure for High Isolation Between Input and Output
- 저자
- 최운경; 김두근; 문년태; 김도균; 최영완
- 발행일
- 2005
- 저널명
- 전기학회논문지 C권
- 권
- 54
- 호
- 1(C)
- 페이지
- 30 ~ 34
- 출판사
- 대한전기학회
- 분량
- 5 페이지
- ISSN
- P 1229-246X