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반도체 특성을 갖는 전도성 고분자 박막의 제조방법 및 반도체 특성을 갖는 전도성 고분자 박막을 포함하는 박막 트랜지스터
METHOD FOR MANUFACTURING CONDUCTING POLYMER THIN FILM HAVING SEMICONDUCTING PROPERTY AND THIN FILM TRANSISTOR INCLUDING CONDUCTING POLYMER THIN FILM HAVING SEMICONDUCTING PROPERTY
- 김선주;
- 김동욱
초록
본 발명의 반도체 특성을 갖는 전도성 고분자 박막의 제조방법 및 반도체 특성을 갖는 전도성 고분자 박막을 박막 트랜지스터에서, 본 발명의 반도체 특성을 갖는 전도성 고분자 박막의 제조방법은 전도성 고분자 박막의 적어도 일부분을 표면처리제로 처리하여, 상기 표면처리제에 노출된 전도성 고분자 박막의 적어도 일부분의 전하 밀도를 감소시키는 단계를 포함한다.
- 제목
- 반도체 특성을 갖는 전도성 고분자 박막의 제조방법 및 반도체 특성을 갖는 전도성 고분자 박막을 포함하는 박막 트랜지스터
- 제목 (타언어)
- METHOD FOR MANUFACTURING CONDUCTING POLYMER THIN FILM HAVING SEMICONDUCTING PROPERTY AND THIN FILM TRANSISTOR INCLUDING CONDUCTING POLYMER THIN FILM HAVING SEMICONDUCTING PROPERTY
- 저자
- 김선주; 김동욱
- 발행일
- 2018-11-08
- 출원번호
- 10-2017-0079330
- 등록번호
- 10-1918851
- 출원일
- 2017-06-22
- 등록일
- 2018-11-08
- 지식재산권 유형
- 특허
- 양수인
- 중앙대학교 산학협력단