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나노와이어 그리드 구조 및 이의 형성방법
Nano-grid structure of Nanowire and method of fabrication thereof
- 장석태;
- 고영운
초록
본 발명은 나노와이어 그리드 구조 및 이의 형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 나노와이어 그리드 구조는 MDD(Meniscus Dragging Deposition) 코팅기법을 이용하여 나노와이어를 기판에 코팅시킴으로써 나노와이어의 정렬도가 우수하다는 특징이 있다. 또한, 나노와이어를 교차 코팅하여 제조되는 나노와이어 그리드 구조는 뛰어난 유연성 및 신축성을 가지며, 550 nm 파장에서 약 90% 이상의 높은 투과율을 갖는다. 나아가, 나노와이어 그리드 구조는 22 Ω/□의 낮은 면저항을 가지므로, 전자 소자에 사용되는 투명 전극으로 용이하게 사용될 수 있다.
- 제목
- 나노와이어 그리드 구조 및 이의 형성방법
- 제목 (타언어)
- Nano-grid structure of Nanowire and method of fabrication thereof
- 저자
- 장석태; 고영운
- 발행일
- 2014-11-27
- 출원번호
- 10-2013-0159437
- 등록번호
- 10-1468491
- 출원일
- 2013-12-19
- 등록일
- 2014-11-27
- 지식재산권 유형
- 특허
- 양수인
- 중앙대학교 산학협력단