기판 통합형 도파관 제조 방법 및 기록매체

초록

기판 통합형 도파관 제조 방법이 개시된다. 기판 통합형 도파관 제조 방법은 깊은 반응성 이온 에칭 공정을 통해, 실리콘 기판에 기둥 형태의 구조물을 형성하는 단계; 아노딕 본딩 공정을 통해, 상기 구조물이 형성된 실리콘 기판 상에 유전체 기판을 결합하는 단계; 리플로우 공정을 통해, 상기 유전체 기판을 가열하여 점성을 낮춤으로써 상기 실리콘 기판의 빈 영역을 상기 유전체로 채우는 단계; 화학기계적 연마 공정을 통해, 상기 실리콘 기판의 빈 영역을 채우고 남은 유전체 기판과 상기 실리콘 기판의 바닥면을 제거함으로써 평탄화하는 단계; 추가적인 DRIE 공정을 통해, 상기 기둥 형태의 구조물을 제거함으로써 비아 홀을 형성하는 단계; 상기 형성된 비아 홀의 내부 측면에 제1 종류의 금속으로 금속 씨앗층을 증착하는 단계; 상기 금속 씨앗층이 증착된 비아 홀의 내부를 제 2종류의 금속으로 충진하는 단계; 및 상기 금속으로 충진된 비아 홀을 포함하는 실리콘 기판의 상단 및 하단에 타겟 주파수 밴드에 대응하는 금속 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.