범프 형성 방법 및 반도체 실장 방법

초록

본 발명은 범프 형성 방법 및 반도체 실장 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 (a) 도전층이 형성된 기판에 상기 도전층에 대응되는 개구부를 갖는 금속마스크를 도전층이 개구부 내에 수용되도록 정렬시킨 후, 용융 가능하며, 1nm 내지 30㎛의 입경을 갖는 도전성 입자와 상기 도전성 입자의 융점에서 경화되지 않는 폴리머를 포함하는 도전 접속제가 스퀴지에 의해 마스크의 개구부에 전사되는 단계; (b)도전 접속제를 상기 폴리머의 경화가 완료되지 않는 온도까지 가열하여 도전성 입자로 도전층 상에 범프를 형성하는 단계; 및 (c) 폴리머를 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하고, 본 발명에 따른 범프 형성 방법 및 반도체 실장 방법은 공정이 단순하며, 제조비용이 적고, 대량생산에 용이하다.